中析研究所檢測中心
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中科光析科學技術研究所
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發(fā)布時間：2025-05-14
關鍵詞：三氟化鏑檢測案例,三氟化鏑檢測范圍,三氟化鏑檢測標準
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來源：北京中科光析科學技術研究所
因業(yè)務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。
三氟化鏑的標準化檢測體系包含以下核心項目：
主成分定量分析：測定DyF?的純度等級（≥99.9%至≥99.99%）
稀土雜質檢測：包括鑭系元素（La、Ce、Pr等）及釔（Y）的痕量測定
非稀土雜質分析：重點監(jiān)控Fe、Al、Si等金屬雜質及O、C等非金屬元素
物理性能測試：涵蓋粒度分布（D50/D90）、比表面積（BET法）、晶體形貌（SEM）
三氟化鏑的質量控制覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)：
原料端：稀土氧化物（Dy?O?）、氫氟酸原料的批次檢驗
生產(chǎn)過程：合成中間體的成分監(jiān)控與工藝參數(shù)驗證
終端產(chǎn)品：
核反應堆中子吸收材料（棒狀/顆粒狀制品）
光學鍍膜用高純靶材（晶體取向度≥98%）
磁性復合材料基體（磁晶各向異性參數(shù)測定）
依據(jù)GB/T 12690-202X《稀土金屬及其化合物化學分析方法》及ASTM C1605-18標準：
采用波長色散型儀器（WD-XRF），配備LiF200晶體與閃爍計數(shù)器，通過標準曲線法實現(xiàn)主量元素的快速篩查。
使用高分辨扇形磁場質譜儀（HR-ICP-MS），采用內標法校正基體效應，檢出限可達0.01ppm級。
θ-2θ掃描模式下采集衍射圖譜（Cu Kα輻射），通過Rietveld精修計算晶胞參數(shù)與相純度。
在Ar氣氛保護下以10℃/min升溫至1200℃，記錄質量變化與熱流曲線。
采用米氏散射理論模型，超聲分散后測量D10-D90分布區(qū)間。
| 儀器類型 | 技術參數(shù) | 應用場景 |
|---|---|---|
| 四極桿ICP-MS | 檢出限：≤0.1ppt（Rh內標） | 痕量稀土雜質測定 |
| 高溫XRD系統(tǒng) | 角度精度：±0.001° | 相變行為原位分析 |
| 場發(fā)射SEM-EDS | 元素范圍：B-U | |
| 同步熱分析儀 | 溫度精度：±0.1℃ | |
所有儀器均需通過CNAS認可的計量校準程序，定期進行NIST標準物質驗證測試。實驗室環(huán)境應維持溫度(23±2)℃、濕度(50±10)%RH的恒溫恒濕條件。
1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)
2、確認檢測用途及項目要求
3、填寫檢測申請表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)
4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)
5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測
6、檢測出相關數(shù)據(jù)，編寫報告草件，確認信息是否無誤
7、確認完畢后出具報告正式件
8、寄送報告原件
