因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見(jiàn)諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

熱場(chǎng)均勻性、加熱器電阻偏差率、保溫層導(dǎo)熱系數(shù)、籽晶夾持力、坩堝旋轉(zhuǎn)同心度、真空泄漏率、冷卻水流量穩(wěn)定性、磁場(chǎng)干擾強(qiáng)度、電極接觸阻抗、石英部件透光率、石墨件碳含量、熱屏變形量、溫度梯度線(xiàn)性度、壓力波動(dòng)容差、氬氣純度分析、晶體生長(zhǎng)速率偏差、功率波動(dòng)響應(yīng)時(shí)間、機(jī)械振動(dòng)幅度、軸向?qū)χ卸日`差、徑向跳動(dòng)量、密封圈耐溫極限、視窗耐壓強(qiáng)度、饋電系統(tǒng)絕緣電阻、氣體分布均勻性、熱膨脹系數(shù)匹配度、冷卻速率一致性、表面粗糙度Ra值、殘余應(yīng)力分布、氧含量滲透率、晶體位錯(cuò)密度。

檢測(cè)范圍

單晶爐主體框架、石墨加熱器組件、石英觀(guān)察窗總成、真空泵組系統(tǒng)、水冷循環(huán)管路模塊、磁流體密封裝置、籽晶提升機(jī)構(gòu)總成、多段式保溫筒體組、雙層水冷電極系統(tǒng)、鉬制支撐吊桿組件、高純氬氣輸送管道、晶體直徑測(cè)量傳感器組、熱場(chǎng)屏蔽環(huán)組件、坩堝驅(qū)動(dòng)伺服電機(jī)組、真空計(jì)校準(zhǔn)裝置殘余氣體分析儀接口法蘭盤(pán)組塊式熱交換器單元壓力平衡閥組溫度補(bǔ)償型熱電偶陣列紅外測(cè)溫探頭組晶體夾持機(jī)械手裝置爐體防輻射屏蔽層材料真空波紋管補(bǔ)償器高純硅熔體液面監(jiān)測(cè)系統(tǒng)晶體生長(zhǎng)過(guò)程錄像單元應(yīng)急冷卻噴射裝置。

檢測(cè)方法

X射線(xiàn)衍射法：通過(guò)布拉格角測(cè)量晶體取向偏差與晶格畸變率；紅外熱成像法：采用非接觸式掃描獲取熱場(chǎng)溫度梯度分布數(shù)據(jù)；四探針電阻測(cè)試法：測(cè)定石墨元件電阻率均勻性與接觸阻抗；激光干涉測(cè)量：用于機(jī)械傳動(dòng)系統(tǒng)軸向跳動(dòng)量與同心度校準(zhǔn)；質(zhì)譜分析法：定量分析真空腔內(nèi)殘余氣體成分及分壓比例；三維坐標(biāo)測(cè)量：構(gòu)建熱場(chǎng)組件幾何形位公差數(shù)字化模型；超聲波探傷法：檢測(cè)金屬構(gòu)件內(nèi)部裂紋與焊接缺陷；高溫拉伸試驗(yàn)：驗(yàn)證保溫材料在1400℃工況下的抗蠕變性能；氦質(zhì)譜檢漏法：定位真空系統(tǒng)泄漏點(diǎn)并計(jì)算泄漏率；動(dòng)態(tài)壓力掃描：模擬工藝氣體流量突變時(shí)的系統(tǒng)響應(yīng)特性。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30858-2014電子工業(yè)用單晶爐通用技術(shù)條件
JB/T12345-2015晶體生長(zhǎng)設(shè)備熱場(chǎng)組件測(cè)試規(guī)范
ISO16112:2018光伏級(jí)硅材料缺陷密度測(cè)定方法
SEMIF47-0706半導(dǎo)體設(shè)備真空系統(tǒng)驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)
GB/T19001-2016質(zhì)量管理體系在單晶制造中的應(yīng)用指南
ASTME112-13平均晶粒度測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
IEC60749-25:2003半導(dǎo)體器件機(jī)械與氣候試驗(yàn)方法
GB/T13303-2020鋼的抗氧化性能測(cè)試方法
SJ/T11482-2014電子級(jí)多晶硅中雜質(zhì)含量的測(cè)定
DINEN60584-1:2013熱電偶允差與校準(zhǔn)規(guī)范

檢測(cè)儀器

X射線(xiàn)衍射儀（PANalyticalEmpyrean）：配備高溫環(huán)境艙實(shí)現(xiàn)原位晶體結(jié)構(gòu)分析；紅外熱像儀（FLIRT1020）：12801024像素分辨率支持0.03℃溫度靈敏度；激光干涉儀（RenishawXL-80）：線(xiàn)性測(cè)量精度0.5ppm的位移校準(zhǔn)系統(tǒng)；四探針測(cè)試臺(tái)（Keithley2450）：支持100nA~1A寬范圍電流輸出與微歐級(jí)阻抗測(cè)量；質(zhì)譜檢漏儀（INFICONUL1000）：最小可檢漏率510^-12Pam/s的氦氣探測(cè)能力；三維坐標(biāo)測(cè)量機(jī)（HexagonGlobalS）：配備藍(lán)光掃描頭實(shí)現(xiàn)1.5μm/m精度建模；超聲波探傷儀（OlympusEPOCH650）：0.5~15MHz寬頻探頭組支持復(fù)合材料分層檢測(cè)；高溫力學(xué)試驗(yàn)機(jī)（Instron8862）：1700℃環(huán)境模擬艙配合100kN載荷傳感器；殘余氣體分析儀（HidenHPR-60）：1~300amu質(zhì)量范圍實(shí)現(xiàn)ppb級(jí)氣體成分解析；晶體定向儀（XRT-200）：采用勞厄背反射法完成晶體軸向偏差角測(cè)量。

檢測(cè)流程

1、咨詢(xún)：提品資料(說(shuō)明書(shū)、規(guī)格書(shū)等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫(xiě)檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門(mén)取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫(xiě)報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件