因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見(jiàn)諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

光子能量分布測(cè)定、機(jī)械應(yīng)力分布分析、光致位移響應(yīng)測(cè)試、光子動(dòng)量傳遞效率評(píng)估、光彈性系數(shù)測(cè)定、微納結(jié)構(gòu)形變監(jiān)測(cè)、光壓作用力量化、雙折射效應(yīng)驗(yàn)證、光熱膨脹系數(shù)測(cè)量、光子晶體諧振頻率測(cè)試、光纖布拉格波長(zhǎng)偏移分析、表面等離子體共振強(qiáng)度校準(zhǔn)、量子點(diǎn)發(fā)光效率驗(yàn)證、光鑷捕獲力標(biāo)定、波導(dǎo)傳輸損耗測(cè)定、薄膜干涉相位差測(cè)量、微腔品質(zhì)因數(shù)計(jì)算、非線性光學(xué)效應(yīng)表征、偏振態(tài)穩(wěn)定性測(cè)試、光機(jī)械耦合系數(shù)驗(yàn)證、納米顆粒散射截面測(cè)定、超表面相位調(diào)制精度分析、光子集成芯片應(yīng)力映射、激光誘導(dǎo)振動(dòng)頻譜采集、光學(xué)薄膜附著力測(cè)試、微鏡陣列偏轉(zhuǎn)角度校準(zhǔn)、MEMS器件動(dòng)態(tài)響應(yīng)監(jiān)測(cè)、全息光柵衍射效率評(píng)估、光子探測(cè)器靈敏度標(biāo)定

檢測(cè)范圍

光纖傳感器芯層材料、半導(dǎo)體激光器諧振腔體、量子點(diǎn)顯示面板基板、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)振鏡組件、光子晶體光纖預(yù)制棒、光學(xué)鍍膜真空腔體部件、納米壓印模板母版材料、超表面金屬ens結(jié)構(gòu)陣列、紅外焦平面探測(cè)器芯片、柔性O(shè)LED顯示基材薄膜、高功率激光器冷卻模塊殼體空間光調(diào)制器液晶層介質(zhì)波導(dǎo)耦合器對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)微流控芯片光學(xué)檢測(cè)窗口太赫茲超材料單元結(jié)構(gòu)生物光子傳感器探針頭航天級(jí)光學(xué)鏡頭支撐框架紫外LED封裝膠體材料X射線聚焦鏡多層膜堆疊結(jié)構(gòu)原子鐘微波腔體鍍層等離子體共振生物芯片金膜層光纖陀螺環(huán)圈繞制基體光子集成電路鍵合界面微型光譜儀衍射光柵基底

檢測(cè)方法

1.激光干涉法：利用邁克爾遜干涉儀測(cè)量樣品在光壓作用下的納米級(jí)位移變化2.原子力顯微術(shù)(AFM)：通過(guò)探針懸臂偏轉(zhuǎn)量反推微觀表面所受光機(jī)械力3.布里淵散射光譜：分析入射光頻率偏移量計(jì)算材料內(nèi)部應(yīng)力分布4.數(shù)字全息顯微(DHM)：實(shí)時(shí)記錄物體三維形變場(chǎng)并重建力學(xué)參數(shù)5.壓電響應(yīng)力顯微術(shù)(PFM)：結(jié)合交流電場(chǎng)激勵(lì)測(cè)量光致應(yīng)變響應(yīng)6.多普勒振動(dòng)測(cè)量：采用激光多普勒測(cè)振儀捕捉高頻微振動(dòng)頻譜7.納米壓痕測(cè)試：通過(guò)金剛石壓頭加載/卸載曲線計(jì)算彈性模量8.白光干涉輪廓術(shù)：獲取表面拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變化評(píng)估殘余應(yīng)力9.拉曼光譜應(yīng)力分析：依據(jù)特征峰位移量推算晶格應(yīng)變分布10.相位敏感OCT：基于光學(xué)相干斷層掃描技術(shù)實(shí)現(xiàn)亞表面力學(xué)成像

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ISO10109-5:2015光學(xué)和光子學(xué)-環(huán)境要求-第5部分:地面用光學(xué)儀器試驗(yàn)條件GB/T15972.40-2021光纖試驗(yàn)方法規(guī)范-第40部分:傳輸特性和光學(xué)特性的測(cè)量方法和試驗(yàn)程序ASTME2381-05(2020)用納米壓痕法測(cè)定材料的壓痕斷裂韌性的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法IEC61757-1-1:2020光纖傳感器-第1-1部分:應(yīng)變測(cè)量-基于光纖布拉格光柵的傳感器JISC8936:2019太陽(yáng)能電池用硅晶片殘余應(yīng)力的測(cè)試方法DINENISO13696:2006光學(xué)和光子學(xué)-激光輻射散射特性的測(cè)試方法GB/T34879-2017微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)-薄膜材料殘余應(yīng)力測(cè)試方法ISO12858-1:1999光學(xué)和光學(xué)儀器-大地測(cè)量?jī)x器-第1部分:水準(zhǔn)儀基本性能及測(cè)試方法ASTMF218-2020用激光干涉儀測(cè)量硅片翹曲度的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法BSENISO11146-2:2021激光和激光相關(guān)設(shè)備-激光束寬度、發(fā)散角和光束傳播比的試驗(yàn)方法

檢測(cè)儀器

1.數(shù)字全息顯微鏡：配備532nm激光源與高速CMOS相機(jī)，實(shí)現(xiàn)全場(chǎng)形變動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)2.原子力顯微鏡系統(tǒng)：集成光電探測(cè)模塊與納米定位平臺(tái)，分辨率達(dá)0.1nN量級(jí)3.多通道光纖布拉格解調(diào)儀：支持128通道同步采集，波長(zhǎng)分辨率1pm4.激光多普勒測(cè)振儀：頻率范圍DC-24MHz，位移分辨率0.01pm/√Hz5.顯微拉曼光譜儀：配置785nm/532nm雙激光源與低溫樣品臺(tái)6.X射線衍射應(yīng)力分析儀：采用Cr-Kα輻射源，可測(cè)殘余應(yīng)力深度剖面7.納米壓痕測(cè)試系統(tǒng)：最大載荷500mN，位移分辨率0.01nm8.白光干涉表面輪廓儀：垂直分辨率0.1nm，掃描范圍100100mm9.低溫強(qiáng)磁場(chǎng)綜合測(cè)試平臺(tái)：集成光學(xué)窗口與4K超低溫環(huán)境倉(cāng)10.MEMS動(dòng)態(tài)特性分析儀：包含高帶寬電容位移傳感器與靜電驅(qū)動(dòng)模塊

檢測(cè)流程

1、咨詢：提品資料(說(shuō)明書(shū)、規(guī)格書(shū)等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫(xiě)檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門(mén)取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫(xiě)報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件